Регистрация Войти
Вход на сайт

ТОП Новости
» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти

Группа, в какую ввалились исследователи из японского Национального института науки и авангардных технологий(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои(Nagoya University)и ассоциации Low-power Electronics Association & Project(LEAP), создала искушенные манеры топологической памяти TRAM(topological-switching RAM), новоиспеченного субъекта памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, манеры памяти новоиспеченного субъекта продемонстрировали крайне возвышенные показатели энергетической эффективности, что может ввергнуть к появлению высокоскоростных устройств хранения настоящих, таковских, будто SSD-диски, потребляющих при своей работе абсолютно ерундовое численность энергии.

Изменения кристаллической решетки

Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов вкалывает за счет перехода материала деятельного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и навыворот под воздействием электрического тока с найденными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление деятельного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия(Ge)на небольшое дистанция. Идея создания памяти подобного субъекта была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обыкновенной CMOS-технологии были созданы первые манеры TRAM-памяти, какая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с иными молодчиками памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2

Используя начальный искушенный лад TRAM-памяти, и проложив разбор структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить линия их характеристик по сравнению с первыми манерами. Ключом этих изменений стала новоиспеченная структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, какая спрашивает ерундового числа энергии для перемещения этих атомов. Подобный подход позволил снизить рабочее надсада до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и пролетарий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти прошлого поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено смысл тока стирания и записи, что позволило существенно возвысить скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти

Более того, исследователи изготовили несколько неодинаковых вариантов ячеек TRAM-памяти, используя комплекты материалов, владеющих неодинаковые показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее надсада этих ячеек утилитарны не зависит от используемых материалов, в отличие от иных субъектов памяти на фазовых переходах, рабочее надсада каких велико зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередность в информационных фокусах большущего масштаба. Этому максимально будет содействовать то, что скорость работы TRAM-памяти почитай в 100 один превышает скорость работы самых важнейших манеров современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один-одинехонек TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обыкновенной flash-памяти.
Рейтинг статьи:
  

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.